SK海力士DRAM营销负责人朴明洙(音)在昨天在首尔钟路区世宗路开幕的“2023韩国投资周(KIW)”半导体会议上表示:“AI服务器需要500gb以上的高带宽内存(HBM)芯片和2tb以上的DDR5芯片。”
“人工智能竞争是内存芯片需求增长的强劲推动力。”
SK海力士预测，随着人工智能芯片的繁荣，到2027年，HBM市场的年复合增长率将达到82%。
三星电子(Samsung Electronics)也持同样观点，预计明年HBM市场将比今年增长一倍以上。
三星电子DRAM产品技术部常务副社长黄尚俊(音)当天在KIW 2023上表示:“客户目前(HBM)的订单比去年增加了一倍以上。”“无缝HBM的生产、封装和代工能力将决定竞争力。”
HBM是一种高容量、高性能半导体，用于生成式人工智能设备、高性能数据中心、机器学习平台等，其需求正在飙升。
由于该芯片与图形处理单元(GPU)一起使用，以增强像ChatGPT这样的生成式人工智能的能力，预计其需求将进一步增长。ChatGPT是OpenAI开发的人工智能聊天机器人，被视为将接管世界的下一个大事件。
这两家公司也是世界排名前两位的内存巨头，它们在HBM芯片上押下了重注。HBM芯片是将多个DRAM芯片垂直互连，与传统DRAM产品相比，数据处理速度大幅提高的芯片。它们至少贵了五倍。
SK海力士于2013年在世界上首次推出HBM芯片，根据市场追踪机构TrendForce的统计，截至2022年，SK海力士在全球HBM市场上的占有率为50%，处于领先地位。
三星电子(Samsung Electronics)以40%紧随其后，美光科技(Micron Technology Inc.)以10%紧随其后。
下一代高性能芯片
业内专家表示，人工智能驱动的HBM芯片需求增长，为内存处理(PIM)、计算快速链路(CXL)、双数据速率5 (DDR5)等高附加值定制DRAM芯片创造了新的存储市场。
“我们会提前两到三年开始讨论(芯片开发)路线图，”Park说。“这增加了锁定效应。”
SK海力士和三星电子为了在新市场上保持领先，将全力开发新一代存储芯片。
SK海力士6日表示，将于2026年推出第6代HBM“HBM4”。该公司目前正在向美国GPU巨头英伟达公司(Nvidia Corp.)供应其HBM3芯片，上个月还向这家美国无晶圆厂公司提供了HBM3的扩展版HBM3E样品。
它还计划与代工公司合作生产HBM4。
三星电子除了近内存HBM外，还将集中开发高性能主存储器DDR5和超大容量存储器CXL。
黄禹锡表示:“将CPU运算加速器PIM与CXL接口相结合，将进一步扩大DRAM的使用。”
“我们的客户要求高性能dram，而不是廉价dram，”他说。
CXL DRAM是可以提高内存资源分配效率的下一代接口，可以起到外部硬盘驱动器的作用。PIM是一种辅助CPU数据处理的DRAM。
当天参加KIW 2023的英特尔韩国专务罗承柱(音译)预测说:“明年下半年(7 ~ 12月)英特尔新一代高性能CPU‘Granite Rapids’的上市将刺激CXL DRAM的需求。”
第四季度内存回升
虽然下一代记忆体产品预计将开启新的DRAM市场，但整体记忆体市场预计将在今年晚些时候进入上升周期，部分原因是业界今年年初精心策划的晶圆削减努力。
黄昌圭表示:“预计到2021年，存储芯片市场将进入下行周期，但由于供应链崩溃，导致客户大量囤积库存，导致存储产业在去年出现了严重的库存下滑。”
“由于减产，预计今年第三季度(7 ~ 9月)供需将趋于平衡，从第四季度开始需求将增加。”
英特尔韩国的Na表示，英特尔推出名为Sapphire Rapids的第四代CPU，对整个DRAM产业来说也是个好兆头。他并称，英特尔8月中旬蓝宝石Rapids出货100万部，对DDR5需求是个利好。
第2023届韩国投资周(KIW)将于9月15日在首尔开幕。
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